Einige Neuerung im Bereich der DDR3-Module waren bei Nanya deutlich auffällig zu sehen. So zierte ein großer Vergleich zwischen DDR2 und DDR3 eine Wand des Standes. Demnach startet DDR3 ebenfalls an dem Punkt, an dem der Vorgänger aufhört, also mit 800 MT/s. (Millionen Übertragungen/s). Das offizielle Ende soll bei DDR3/1600 erreicht werden, was einem Speicherbustakt von 800 MHz entspricht. Erreicht werden die höheren Taktraten durch eine erneute Steigerung des Prefetchs auf nunmehr 8 Datenworte (konkret: die Speicherzellen takten mit einem viertel des Taktes der I/O-Einheiten des Speicherchips, mittels der DDR-Verdopplung erreicht man dann den Prefetch von 8). Indem man pro Zugriff mehr Daten ausliest, können die Speicherzellen weiterhin auf sehr niedrigem Takt gehalten werden. So bleibt auch DDR3 bei der inzwischen magischen Grenze von maximal 200 MHz für die Speicherzellen.

Die Absenkung der Spannung auf 1.5 Volt verschafft den Herstellern wieder etwas Luft nach oben und für Notebooks eine geringfügig längere Akkulaufzeit. Bei höheren Taktraten gegenüber DDR2 wird der Vorteil aber schnell wieder verpuffen. Bei außerhalb der Spezifikationen übertakteten Modulen werden auch weiterhin zusätzliche Kühlmethoden boomen. Durch verbesserte On-Die-Termination gegenüber DDR2 wird die Signalqualität verbessert, was essentiell für den höheren Speicherbus ist. Andernfalls würden reflektierte Signale den Bus mit Geistersignalen überschütten.

Eine weitere Verbesserung sind zwei Modi für den Refresh der Speicherchips. Wie vielleicht bekannt ist, verlieren DRAM-Chips ihre Ladung mit der Zeit. Daher müssen sie ständig aufgefrischt werden, in dieser Zeit ist kein Zugriff möglich. DDR3 erlaubt nun das Auffrischen von der Temperatur abhängig zu machen, gemäß der Regel, dass niedrigere Temperaturen die Ladung länger erhalten.

Diese Funktion steht im direkten Zusammenhang mit einem Temperatursensor, der sich nun auf den Modulen befindet. Musste die Temperatur bisher über den Verbrauch des Moduls geschätzt werden, kann diese nun viel genauer angegeben werden. Mechanismen, die von der Temperatur abhängig sind, wären der eben erwähnte Refresh-Zyklus oder das Ausbremsen der Speicherzugriffe bei Erreichen einer gewissen Temperaturgrenze. Für größere Systeme mit vielen Modulen und hohen Temperaturen lässt sich in diesem Fall sogar eine bessere Speicherperformance durch weniger "Throttling" erreichen.

Nanya selbst fertigt Speicherchips in direkter Konkurrenz zu Samsung. Momentan ist die 90/80nm-Fertigung Standard, man will jedoch bald mit Samsung gleichziehen und auf 60nm umsteigen. Dazu besitzt Nanya im Moment zwei Fabs für 200mm Wafer und will im Juni dieses Jahres eine dritte Anlage für 300mm Wafer fertigstellen.

DDR3 selbst ist laut Nanya bisher nur in Samples verfügbar. Mit der Massenproduktion rechnet man in 2008 und erst 2009 mit der großflächigen Ablösung von DDR2. Das deckt sich in etwa mit den Angaben vieler anderer Hersteller. Den Bildern auf dem Stand ist zu entnehmen, dass DDR3-Module zu Beginn wohl mit einer Latenz von 5-5-5 ausgeliefert werden. Wie üblich erwarten wir allerdings noch niedrigere Werte für die bekannten Overclocking-Module diverser Hersteller. Ab DDR3/1066 sind dann allerdings schon wieder 7-7-7 vorgesehen – große Performancevorteile sollte man also zu Beginn nicht erwarten.